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| なぜ、アトムビームが必要なのか？ | |||||||||||||||||||||
| 一般に絶縁物にイオン照射すると、次のようなエッチングに不都合ないくつかの障害が生じます。 | |||||||||||||||||||||
| ● チャージの累積・チャージの不均一 | |||||||||||||||||||||
| 絶縁物、または絶縁されている導体表面にイオンを照射すると、試料表面はイオンの電荷によって帯電し、時間と共に帯電量は増加します。その結果、イオンによるエッチングレートは減少します。 また、試料表面の形状、物質の不均一性によって表面チャージは微小部分で異なる電荷量が帯電します。 その結果、イオンエッチングに選択性が生じ、エッチングによる表面の荒れが生じます。 |
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| ● 内部イオンの移動 | |||||||||||||||||||||
| イオン化しやすい物質を含んでいる絶縁物の表面が、例えば正に帯電すると試料内部の負イオンは表面方向に、正イオンは反対方向に移動します。これによって、試料の最表面層に組成変化が生じます。 | |||||||||||||||||||||
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試料へのチャージングによる不都合な影響は、イオン成分を含まないアトムビームを使用することによって、回避あるいは著しく軽減することができます。 |
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| サドルフィールド型アトム/イオンガン | |||||||||||||||||||||
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| 用 途 | |||||||||||||||||||||
| ○ 絶縁体及び合成物 | |||||||||||||||||||||
| ガラス、セラミックス、プラスチック、合成ゴムなど従来の電解研磨法、機械研磨法、超薄切片法などでは非常に困難であった試料においても最良の状態で薄片が作製できます。 また、レーザー等光による終点検知法と異なり、イオンによる検知なので透明な試料に対しても正確に終点を検知します。 |
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| ○ 半導体及び複合材料 | |||||||||||||||||||||
| アトムビームを用いているため、試料をチャージダメージなしにエッチングします。 また、従来難しいとされていた化合物半導体の均一なエッチングもリアクティブガスが使用できるために大幅に改善されました。 |
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| ○ 金 属 学 | |||||||||||||||||||||
| アトムビームエッチングによる試料の薄片化は化学的変化がなく、結晶構造の分析及び研究に最適です。 また、イオンビーム使用時には、ガンと試料間の距離を近づけることにより、高速エッチングが可能です。 |
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| ○ 重 合 体 | |||||||||||||||||||||
| 試料ステージは、液体窒素で冷却できますので（オプション）、熱に対してダメージを受けやすい試料においても熱影響を与える事なくエッチングできます。 | |||||||||||||||||||||
| ○ 生 物 学 | |||||||||||||||||||||
| アトムビームエッチングは硬い組織試料、特に歯の処理には最適です。歯を樹脂包埋する必要がないので、組織変化の恐れはありません。 また、試料仕上がりはウルトラミクロトームの超薄切片より良好です。 |
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